| A |
Min. Leiterbahnabstand - Außenlage |
µm |
75 |
| B |
Min. Leiterbahnbreite - Außenlage |
µm |
75 |
| C |
Min. Leiterbahnabstand - Innenlage |
µm |
75 |
| D |
Min. Leiterbahnbreite - Innenlage |
µm |
75 |
| E |
Sackloch min. Durchmesser gebohrt Außen |
µm |
100 |
| F |
Sackloch min. Durchmesser gebohrt Ziellage |
µm |
75 |
| G |
Sackloch min. Paddurchmesser Außen |
µm |
250 |
| H |
Sackloch min. Paddurchmesser Ziellage |
µm |
250 |
| I |
Durchkontaktierung min. Paddurchmesser |
µm |
500 |
| J |
Durchkontaktierung min Durchmesser gebohrt |
µm |
250 |
| K |
Cu - Stärke Basiskupfer |
µm |
<=25 |
| L |
Dicke Dielektrikum Sackloch Lage |
µm |
>40 |
| M |
Durchkontaktierung min. Cu Schichtdicke i. d. Hülse |
µm |
>100 |
| N |
Vergrabenes Loch min. Cu Stärke Hülse |
µm |
>=20 |
| O |
Vergrabenes Loch min. Durchmesser gebohrt |
µm |
250 |
| P |
Vergrabenes Loch min Paddurchmesser |
µm |
500 |
| Q |
Dicke des Dielektrikums (Innenlagen) |
µm |
>=50 |
| R |
Stärke der Kupferfolie (Innenlagen) |
µm |
<=18 |
| S |
Sackloch min. Cu Stärke Anbindung |
µm |
>=15 |
| T |
Leiterplattendicke gesamt |
mm |
0.2 - 4.0 |
| |
Sacklöcher Aspect ratio (Tiefe/Durchmesser) |
|
<=1 |
| |
Durchkontaktierung Aspect ratio (LP-Dicke/Durchm.) |
|
<=8 |
| |
Vergrabene Löcher Aspect ratio |
|
<=8 |
| |
|
|
|
| |
Oberflächenausführung |
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| 1 |
HAL, HAL bleifrei |
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| 2 |
OSP |
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|
| 3 |
Chemisch Nickel/Gold, Chemisch Zinn, Chemisch Silber |
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| 4 |
Flash Gold |
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| 5 |
Galvanisch Hartgold |
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|
| 6 |
Ormecon Nanofinish |
|
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| |
|
|
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| |
Spezialtechnologien |
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| 1 |
HDI Technologie |
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| 2 |
Dickkupfertechnik bis 400µm |
|
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| 3 |
Heatsink Leiterplatten |
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| 4 |
Impedanzkontrollierte Leiterplatten |
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|
| 5 |
Flexible Leiterplatten |
|
|
| 6 |
Connection Pads |
|
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