Asec Engineering Consulting GmbH

| Home |

SOCIETE | PRODUITS | CONTACTS | MARQUE | TERMES & CONDITIONS

Capabilité de processus

Pos

Description

Unité

min./max.

A	Min espace piste - Couche externe	µm	75
B	Min espace piste - Couche externe	µm	75
C	Min espace piste - Couche interne	µm	75
D	Min espace piste - Couche interne	µm	75
E	Microvia diamètre zone accroche (Capture land)	µm	100
F	Microvia diamètre – zone objectif (target land)	µm	75
G	Microvia pad zone accroche	µm	250
H	Microvia pad – zone objectif	µm	250
I	Trou métallisé - min pad	µm	500
J	Trou métallisé - min diamètre perçage	µm	250
K	Epaisseur du cuivre	µm	<=25
L	Epaisseur couche diélectrique	µm	>40
M	Epaisseur du placage cuivre dans chaque trou	µm	>100
N	Epaisseur du placage cuivre dans chaque trou masqué	µm	>=20
O	Dimension de trou masqué	µm	250
P	Dimension du pad du trou masqué, couche interne	µm	500
Q	Epaisseur du diélectrique couche interne	µm	>=50
R	Epaisseur feuille de cuivre	µm	<=18
S	Microvia min épaisseur de cuivre	µm	>=15
T	Epaisseur de la carte	mm	0.2 - 4.0
	Ratio d’aspect trous masqués (profondeur/ diamètre)		<=1
	Trou métallisé ratio d’aspect (PCB – Epaisseur/Diam)		<=8
	Ratio d’aspect trous masqués		<=8

	Finition
1	1 HAL, HAL sans plomb
2	QSP
3	Immersion Ni/Au, immersion Tin, Immersion argent
4	Or flash
5	Placage Ni/Au
6	Finition Ormecon Nano

	Spécifications avancées
1	Technologie HDI
2	Epaisseur de cuivre jusqu’à 400µm
3	Heatsink PCB
4	Impédance de la carte contrôlée
5	Carte rigide ou flexible
6	Pads de connexion